સમાચાર - કન્વર્ટર

વેવગાઇડ એન્ટેનાની ફીડિંગ પદ્ધતિઓમાંની એક તરીકે, માઇક્રોસ્ટ્રીપથી વેવગાઇડની ડિઝાઇન એનર્જી ટ્રાન્સમિશનમાં નિર્ણાયક ભૂમિકા ભજવે છે. પરંપરાગત માઇક્રોસ્ટ્રીપથી વેવગાઇડ મોડેલ નીચે મુજબ છે. લંબચોરસ વેવગાઇડની પહોળી દિવાલમાંના ગેપમાં ડાઇલેક્ટ્રિક સબસ્ટ્રેટને વહન કરતી અને માઇક્રોસ્ટ્રીપ લાઇન દ્વારા ખવડાવવામાં આવેલ પ્રોબ દાખલ કરવામાં આવે છે. વેવગાઈડના અંતે પ્રોબ અને શોર્ટ-સર્કિટ દિવાલ વચ્ચેનું અંતર ઓપરેટિંગ વેવલેન્થ કરતાં લગભગ ચાર ગણું છે. એક ભાગ. ડાઇલેક્ટ્રિક સબસ્ટ્રેટને પસંદ કરવાના આધાર હેઠળ, ચકાસણીની પ્રતિક્રિયા માઇક્રોસ્ટ્રીપ લાઇનના કદ પર આધારિત છે, અને શોર્ટ-સર્કિટ વેવગાઇડની પ્રતિક્રિયા શોર્ટ-સર્કિટ દિવાલની સ્થિતિ પર આધારિત છે. આ પરિમાણો શુદ્ધ પ્રતિરોધકોની અવબાધ મેચિંગ હાંસલ કરવા અને ઊર્જા નુકશાન ટ્રાન્સમિશનને ઘટાડવા માટે વ્યાપકપણે ઑપ્ટિમાઇઝ કરવામાં આવ્યા છે.

માઈક્રોસ્ટ્રીપ થી વેવગાઈડ સ્ટ્રક્ચર અલગ-અલગ વ્યુમાં

RFMISO માઇક્રોસ્ટ્રીપ એન્ટેના શ્રેણીના ઉત્પાદનો:

RM-MA25527-22

RM-MA425435-22

કેસ
સાહિત્યમાં આપેલા ડિઝાઇન વિચારો અનુસાર, 40~80GHz ની ઓપરેટિંગ બેન્ડવિડ્થ સાથે માઇક્રોસ્ટ્રીપ કન્વર્ટર માટે વેવગાઇડ ડિઝાઇન કરો. વિવિધ પરિપ્રેક્ષ્યમાંથી મોડેલો નીચે મુજબ છે. સામાન્ય ઉદાહરણ તરીકે, બિન-માનક વેવગાઇડનો ઉપયોગ થાય છે. ડાઇલેક્ટ્રિક સામગ્રીની જાડાઈ અને ડાઇલેક્ટ્રિક કોન્સ્ટન્ટ પર આધારિત છે માઇક્રોસ્ટ્રીપ પ્રોબની અવબાધ લાક્ષણિકતાઓને સમાયોજિત કરવામાં આવી હતી.
આધાર સામગ્રી: ડાઇલેક્ટ્રિક સતત 3.0, જાડાઈ 0.127mm
વેવગાઇડનું કદ a*b: 3.92mm*1.96mm
પહોળી દિવાલ પરનું અંતર 1.08*0.268 છે અને શોર્ટ-સર્કિટ દિવાલથી અંતર 0.98 છે. S પરિમાણો અને અવબાધ લાક્ષણિકતાઓ માટે આકૃતિ જુઓ.

આગળનું દૃશ્ય

પાછળનું દૃશ્ય

એસ પરિમાણો: 40G-80G

પાસબેન્ડ શ્રેણીમાં નિવેશ નુકશાન 1.5dB કરતા ઓછું છે.

પોર્ટ અવબાધ લાક્ષણિકતાઓ

Zref1: માઇક્રોસ્ટ્રીપ લાઇનનો ઇનપુટ અવબાધ 50 ઓહ્મ છે, Zref1: વેવગાઇડમાં વેવ ઇમ્પિડન્સ લગભગ 377.5 ઓહ્મ છે;

પરિમાણો કે જે ઑપ્ટિમાઇઝ કરી શકાય છે: તપાસ દાખલ કરવાની ઊંડાઈ D, કદ W*L અને શોર્ટ-સર્કિટ દિવાલથી ગેપની લંબાઈ. કેન્દ્ર આવર્તન બિંદુ 45G મુજબ, ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંક 3.0 છે, સમકક્ષ તરંગલંબાઇ 3.949mm છે, અને એક-ક્વાર્ટર સમકક્ષ તરંગલંબાઇ લગભગ 0.96mm છે. જ્યારે તે શુદ્ધ પ્રતિકાર મેચિંગની નજીક હોય, ત્યારે વેવગાઈડ TE10 મુખ્ય મોડમાં કામ કરે છે, જેમ કે નીચેની આકૃતિમાં ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ ડિસ્ટ્રિબ્યુશનમાં બતાવેલ છે.